4。5，半导体材料制备4，5、1.本条对硅 锗材料制备废气治理作出要求，3、高纯三氯氢硅还原尾气中,主要含有氢气.氯化氢和氯硅烷 还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能，露点、沸点、上的差异、通过加压冷凝，吸收，脱吸.活性炭吸附等物理手段,把尾气中的氢气，氯化氢.三氯氢硅,二氯二氢硅,四氯化硅逐一分开，分别返回主工艺中。四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅。也返回系统使用、由于还原尾气干法回收系统完全密闭、不外排尾气.分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用，从而达到了回收副产物 变废为用的目的。本规范推荐采用还原尾气干法回收技术.5。硅粉仓、锗精矿仓进，出料产生的粉尘。应设计高效布袋除尘器净化 回收的尘粉即硅粉.锗精矿粉。应返回原料制备车间.6 氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢，氯气 应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化,还原锗锭 区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢、氮氧化物的废气,应设计氢氧化钠碱液两级淋洗.才能使氟化物 氮氧化物达标排放 7，单晶硅。单晶锗酸洗过程产生含氟化氢、氮氧化物的废气、也应设置碱液淋洗装置净化,4。5,2，合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低，持续时间也很短,最长5min、这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min,由于炉内温度高于400.砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体、因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施.妥善处理事故排放的含砷废气、三氧化二砷气体是剧毒气体，因此将本条设为强制性条文,必须严格执行，