.9、4 防。静，电，9.4，1、硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区、9,4.2，防静电工作区的地面和墙面，柱面应采用导静电型材料 导静电型地面。墙面 柱面的表面电阻。对地电阻应为2,5。104Ω 1、106Ω,摩擦起电电压不应大于100V、静电半衰期不应大于0。1s.9 4 3，防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品，并应根据生产工艺的需要设置静电消除器 防静电安全工作台 9.4.4。防静电环境的门窗选择应符合下列要求，1,应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面,2、金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层.并应接地.3,室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时 其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层,9，4，5、防静电环境的净化空调系统送风口和风管。应选用导电材料制作、并应接地，9。4 6.防静电环境的净化空调系统,各种配管使用部分绝缘性材质时。应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地、当使用导电性橡胶软管时.应在软管上安装与其紧密结合的金属导体。并应用接地引线与其可靠接地,9、4，7、生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面 门窗，吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接、导静电地面,防静电活动地板 工作台面 座椅等应做防静电接地。9，4,8 生产厂房防静电接地设计及其他要求.应按现行国家标准，电子工程防静电设计规范、GB 50611的有关规定执行、