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- 集成电路封装测试厂设计规范 GB 51122-2015
- 1 总 则
- 2 术 语
- 3 工艺设计
- 3.1 一般规定
- 3.2 技术设备
- 3.3 工艺布局
- 4 厂址选择及布局
- 5 建筑与结构
- 6 给排水与消防
- 7 电 气
- 8 净化空调及工艺排风
- 9 纯水与废水处理
- 10 气体与真空
- 附录A 集成电路封装测试厂工艺流程
- 本规范用词说明
- 引用标准名录
- 条文说明
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3,工艺设计3.1,一般规定3,1、1。生产环境宜符合表3，1 1的要求 表3、1，1。生产环境需求表3,1、2。生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定,1 用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ.cm,2。用于硅片划片的纯水电阻率宜在0.5MΩ，cm,1MΩ.cm范围内,3,用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ、cm,3。1。3。生产过程所使用气体的品质应符合下列规定、1.用于通孔 凸块工序的气体纯度不宜低于99 9999 露点不宜低于.60,2.用于中测.磨片。划片、粘片 焊线。塑封等工序的气体纯度宜在99.99 99，9999。范围内 露点宜在.40 60、范围内
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