3，工艺设计3.1 一般规定3,1、1.生产环境宜符合表3。1,1的要求，表3、1、1、生产环境需求表3,1。2，生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定、1.用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ、cm。2,用于硅片划片的纯水电阻率宜在0、5MΩ。cm，1MΩ，cm范围内。3、用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ。cm.3，1.3、生产过程所使用气体的品质应符合下列规定 1 用于通孔 凸块工序的气体纯度不宜低于99，9999、露点不宜低于 60,2 用于中测。磨片，划片,粘片,焊线。塑封等工序的气体纯度宜在99。99。99，9999.范围内.露点宜在。40 60，范围内