5 6,硅芯制备及多晶硅产品后处理5，6。1，硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法。工艺路线选择应根据硅芯生产规模，能源价格等情况、经技术经济分析比较后确定,5 6.2。采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽,5,6 3、硅芯制备的房间应设置在洁净区内,5 6、4 多晶硅后处理应包括产品运输、破碎，分拣,包装.腐蚀清洗等工序.其中运输.破碎,分拣，包装工序应符合下列规定，1 硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径.中间仓库位置及厂房工艺布置确定、并应靠近还原车间，2、硅棒运输车内衬板宜采用耐磨、不吸尘的非金属材料.3。硅棒破碎方式应根据生产规模、物料性能和产品粒度确定，可采用人工破碎或机械破碎 4,破碎工具与产品接触部分.应选用硬度大和强度高的材料.5，破碎系统应设置除尘装置.6，破碎粒度应符合现行国家标准 硅多晶、GB、T,12963和、太阳能级多晶硅.GB。T.25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求，7，破碎 分拣、包装应设置在洁净区内.5 6。5 腐蚀清洗工序应符合下列规定。1,腐蚀清洗应设置在洁净区内。2、腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口、并应与人员出入口分开。3。供酸室应与腐蚀清洗室分开布置。供酸室应布置在便于酸桶运输的地方.并应采取防护措施。4，腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风 废气应处理达标后再排放、5。输送强酸的管道应采用双层套管 外层宜采用透明聚氯乙烯、PVC,管。