5。8。反应离子刻蚀机5，8。1.反应离子刻蚀机的安装应符合下列规定,1 应通过调节四个地脚高度来调平承片台，2,应根据设备和环境要求,安装一般排风系统或酸碱排风系统.3.设备总电源应配置专用空气开关.接地线应可靠，4，刻蚀电极应独立安装循环冷却水系统 水压应为0.2MPa、0,6MPa 水温应保持在16.28。水阻不应小于3MΩ。5，应安装工艺用气CF4,SF6 C4F和O2等气体管道。若厂房没有配置固定的管道气体、可采用罐装气体接入。6.射频电源功率可分别设置为1000W和500W、并应具有阻抗自动匹配功能 7，应根据气体性质安装气体泄漏报警装置 5，8，2、反应离子刻蚀机的调试及试运行应符合下列规定。1.应准备好已涂覆上相同厚度聚酰亚胺膜层的基片、且应已有均匀的掩模窗口 2,应启动循环冷却水系统并检查循环水箱水位、水位过低时可从水箱上方的注水口注入纯水。并应确保其水位在。MAX。和.MIN、之间 3、应切断进气阀和保护阀、可用设备自带的真空系统对反应室抽真空 测试极限真空度应能达到气压不大于1，0、10。4Pa,用氦质谱检漏仪检测反应室漏气率不应大于1,0 10,6Pa、L s。4,开机进入主界面时.应打开机械泵和分子泵，待分子泵的速度达到满转后方可进行刻蚀工艺、5,应将基片放到刻蚀腔室承片台上.应关闭腔室并设置好工艺气体流量 射频电源电压,刻蚀时间。进行刻蚀工艺。6,设备应具备光学发射光谱法终点检测系统。7 刻蚀结束后应用膜厚测量仪测试基片的上.下.左 右。中五个点、应记录打开窗口中剩余聚酰亚胺的厚度，片内和片间的刻蚀厚度允许偏差应为，3、